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開(kāi)關(guān)電源EMI設(shè)計(jì)與整改策略100條(一)

日期:2024-10-19 07:53
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摘要:EMC的分類(lèi)及標(biāo)準(zhǔn) EMC(Electromagnetic Compatibility)是電磁兼容,它包括EMI(電磁騷擾)和EMS(電磁抗騷擾)。EMC定義為:設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作且不對(duì)該環(huán)境中的任何設(shè)備的任何事物構(gòu)成不能承受的電磁騷擾的能力。EMC整的稱呼為電磁兼容。EMP是指電磁脈沖。 EMC = EMI + EMS EMI:電磁干擾 EMS:電磁相容性 (**力) EMI可分為傳導(dǎo)Conduction及輻射Radiation兩部分, Conduction規(guī)范一般可分為: FCC Part 15J Class B;CISPR 22(EN55022, EN61000-3-2, EN6100...
EMC的分類(lèi)及標(biāo)準(zhǔn)

        EMC(Electromagnetic Compatibility)是電磁兼容,它包括EMI(電磁騷擾)和EMS(電磁抗騷擾)。EMC定義為:設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作且不對(duì)該環(huán)境中的任何設(shè)備的任何事物構(gòu)成不能承受的電磁騷擾的能力。EMC整的稱呼為電磁兼容。EMP是指電磁脈沖。

       EMC = EMI + EMS EMI:電磁干擾 EMS:電磁相容性 (**力)

       EMI可分為傳導(dǎo)Conduction及輻射Radiation兩部分,

       Conduction規(guī)范一般可分為: FCC Part 15J Class B;CISPR 22(EN55022, EN61000-3-2, EN61000-3-3) Class B;

       國(guó)標(biāo)IT類(lèi)(GB9254,GB17625)和AV類(lèi)(GB13837,GB17625)。

       FCC測(cè)試頻率在450K-30MHz,CISPR 22測(cè)試頻率在150K--30MHz,Conduction可以用頻譜分析儀測(cè)試,Radiation則必須到專門(mén)的實(shí)驗(yàn)室測(cè)試。

        EMI為電磁干擾,EMI是EMC其中的一部分,EMI(Electronic Magnetic Interference) 電磁干擾, EMI包括傳導(dǎo)、輻射、電流諧波、電壓閃爍等等。電磁干擾是由干擾源、藕合通道和接收器三部分構(gòu)成的,通常稱作干擾的三要素。 EMI線性正比于電流,電流回路面積以及頻率的平方即:EMI = K*I*S*F2。I是電流,S是回路面積,F(xiàn)是頻率,K是與電路板材料和其他因素有關(guān)的一個(gè)常數(shù)。

       輻射干擾(30MHz—1GHz)是通過(guò)空間并以電磁波的特性和規(guī)律傳播的。但不是任何裝置都能輻射電磁波的。

       傳導(dǎo)干擾(150K--30MHz)是沿著導(dǎo)體傳播的干擾。所以傳導(dǎo)干擾的傳播要求在干擾源和接收器之間有一完整的電路連接。

       EMI是指產(chǎn)品的對(duì)外電磁干擾。一般情況下分為Class A & Class B 兩個(gè)等級(jí)。 Class A為工業(yè)等級(jí),Class B為民用等級(jí)。民用的要比工業(yè)的嚴(yán)格,因?yàn)楣I(yè)用的允許輻射稍微大一點(diǎn)。同樣產(chǎn)品在測(cè)試EMI中的輻射測(cè)試來(lái)講,在30-230MHz下,B類(lèi)要求產(chǎn)品的輻射限值不能超過(guò)40dBm 而A類(lèi)要求不能超過(guò)50dBm(以三米法電波暗室測(cè)量為例)相對(duì)要寬松的多,一般來(lái)說(shuō)CLASSA是指在EMI測(cè)試條件下,無(wú)需操作人員介入,設(shè)備能按預(yù)期持續(xù)正常工作,不允許出現(xiàn)低于規(guī)定的性能等級(jí)的性能降低或功能損失。

       EMI是設(shè)備正常工作時(shí)測(cè)它的輻射和傳導(dǎo)。在測(cè)試的時(shí)候,EMI的輻射和傳導(dǎo)在接收機(jī)上有兩個(gè)上限,分別代表Class A和Class B,如果觀察的波形超過(guò)B的線但是低于A的線,那么產(chǎn)品就是A類(lèi)的。EMS是用測(cè)試設(shè)備對(duì)產(chǎn)品干擾,觀察產(chǎn)品在干擾下能否正常工作,如果正常工作或不出現(xiàn)超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的性能下降,為A級(jí)。能自動(dòng)重啟且重啟后不出現(xiàn)超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的性能下降,為B級(jí)。不能自動(dòng)重啟需人為重啟為C級(jí),掛掉為D級(jí)。國(guó)標(biāo)有D級(jí)的規(guī)定,EN只有A,B,C。EMI在工作頻率的奇數(shù)倍是*不好過(guò)的。

       EMS(Electmmagnetic Suseeptibilkr) 電磁敏感度一般俗稱為“電磁**力”,是設(shè)備抗外界騷擾干擾之能力,EMI是設(shè)備對(duì)外的騷擾。

      EMS中的等級(jí)是指:Class A,測(cè)試完成后設(shè)備仍在正常工作;Class B,測(cè)試完成或測(cè)試中需要重啟后可以正常工作;Class C,需要人為調(diào)整后可以正常重啟并正常工作;Class D,設(shè)備已損壞,無(wú)論怎樣調(diào)整也無(wú)法啟動(dòng)。嚴(yán)格程度EMI是B > A,EMS是A > B > C > D。

EMI電路:

X電容的作用:

       抑制差模雜訊,電容量越大,抑制低頻雜訊效果越好。

Y電容的作用:

      抑制共模雜訊,電容量越大,抑制低頻雜訊效果越好。Y電容使次級(jí)到初級(jí)地線提供一個(gè)低阻抗回路,使流向地再通過(guò)LISN回來(lái)的電流直接短路掉,由于Y電容非完全理想,次級(jí)各部分間也存在阻抗,所以不可能全部回來(lái)。還是有一部分流到地。Y電容必須直接用盡量短的直線連接到初級(jí)和次級(jí)的冷地, 如果開(kāi)通時(shí)MOS的dv/dt大于關(guān)斷時(shí)的dv/dt, 則Y電容連接到初級(jí)的地; 反之連接到V+。

共模電感的作用:

        抑制共模雜訊,電感量越大,抑制低頻雜訊效果越好。增加共模電流部分的阻抗,減小共模電流。

差模電感的作用:

       抑制差模雜訊,電感量越大,抑制低頻雜訊效果越好。

開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)前的一般應(yīng)對(duì)策略

采用交流輸入EMI濾波器

       通常干擾電流在導(dǎo)線上傳輸時(shí)有兩種方式:共模方式和差模方式。共模干擾是載流體與大地之間的干擾:干擾大小和方向一致,存在于電源任何一相對(duì)大地、或中線 對(duì)大地間,主要是由du/dt產(chǎn)生的,di/dt也產(chǎn)生一定的共模干擾。而差模干擾是載流體之間的干擾:干擾大小相等、方向相反,存在于電源相線與中線及 相線與相線之間。干擾電流在導(dǎo)線上傳輸時(shí)既可以共模方式出現(xiàn),也可以差模方式出現(xiàn);但共模干擾電流只有變成差模干擾電流后,才能對(duì)有用信號(hào)構(gòu)成干擾。

       交流電源輸人線上存在以上兩種干擾,通常為低頻段差模干擾和高頻段共模干擾。在一般情況下差模干擾幅度小、頻率低、造成的干擾??;共模干擾幅度大、頻率高, 還可以通過(guò)導(dǎo)線產(chǎn)生輻射,造成的干擾較大。若在交流電源輸人端采用適當(dāng)?shù)腅MI濾波器,則可有效地抑制電磁干擾。電源線EMI濾波器基本原理如圖1所示, 其中差模電容C1、C2用來(lái)短路差模干擾電流,而中間連線接地電容C3、C4則用來(lái)短路共模干擾電流。共模扼流圈是由兩股等粗并且按同方向繞制在一個(gè)磁芯 上的線圈組成。如果兩個(gè)線圈之間的磁藕合非常緊密,那么漏感就會(huì)很小,在電源線頻率范圍內(nèi)差模電抗將會(huì)變得很??;當(dāng)負(fù)載電流流過(guò)共模扼流圈時(shí),串聯(lián)在相線上的線圈所產(chǎn)生的磁力線和串聯(lián)在中線上線圈所產(chǎn)生的磁力線方向相反,它們?cè)诖判局邢嗷サ窒?因此即使在大負(fù)載電流的情況下,磁芯也不會(huì)飽和。而對(duì)于共模干擾電流,兩個(gè)線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)是同方向的,會(huì)呈現(xiàn)較大電感,從而起到衰減共模干擾信號(hào)的作用。 這里共模扼流圈要采用導(dǎo)磁率高、頻率特性較佳的鐵氧體磁性材料。



圖1 電源線濾波器基本電路圖

利用吸收回路改善開(kāi)關(guān)波形

       開(kāi)關(guān)管或 二極管在開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中,由于存在變壓器漏感和線路電感,二極管存儲(chǔ)電容和分布電容,容易在開(kāi)關(guān)管集電極、發(fā)射極兩端和二極管上產(chǎn)生尖峰電壓。通常情況下采用RC/RCD吸收回路,RCD浪涌電壓吸收回路如圖2所示。



圖2 RCD浪涌電壓吸收回路

       當(dāng)吸收回路上的電壓超過(guò)一定幅度時(shí),各器件迅速導(dǎo)通,從而將浪涌能量泄放掉,同時(shí)將浪涌電壓限制在一定的幅度。在開(kāi)關(guān)管集電極和輸出二極管的正極引線上串接 可飽和磁芯線圈或微晶磁珠,材質(zhì)一般為鈷(Co),當(dāng)通過(guò)正常電流時(shí)磁芯飽和,電感量很小。一旦電流要反向流過(guò)時(shí),它將產(chǎn)生很大的反電勢(shì),這樣就能有效地 抑制二極管VD的反向浪涌電流。

利用開(kāi)關(guān)頻率調(diào)制技術(shù)

       頻率控制技術(shù)是基于開(kāi)關(guān)干擾的能量主要集中在特定的頻率上,并具有較大的頻譜峰值。如果能將這些能量分散在較寬的頻帶上,則可以達(dá)到降低于擾頻譜峰值的目的。通常有兩種處理方法:隨機(jī)頻率法和調(diào)制頻率法。

       隨機(jī)頻率法是在電路開(kāi)關(guān)間隔中加人一個(gè)隨機(jī)擾動(dòng)分量,使開(kāi)關(guān)干擾能量分散在一定范圍的頻帶中。研究表明,開(kāi)關(guān)干擾頻譜由原來(lái)離散的尖峰脈沖干擾變成連續(xù)分布干擾,其峰值大大下降。

       調(diào)制頻率法是在鋸齒波中加人調(diào)制波(白噪聲),在產(chǎn)生干擾的離散頻段周?chē)纬蛇咁l帶,將干擾的離散頻帶調(diào)制展開(kāi)成一個(gè)分布頻帶。這樣,干擾能量就分散到這些分布頻段上。在不影響變換器工作特性的情況下,這種控制方法可以很好地抑制開(kāi)通、關(guān)斷時(shí)的干擾。

采用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)

        開(kāi)關(guān)電源的干擾之一是來(lái)自功率開(kāi)關(guān)管通/斷時(shí)的du/dt,因此,減小功率開(kāi)關(guān)管通/斷的du/dt是抑制開(kāi)關(guān)電源干擾的一項(xiàng)重要措施。而軟開(kāi)關(guān)技術(shù)可以減小開(kāi)關(guān)管通/斷的du/dt。

         如果在開(kāi)關(guān)電路的基礎(chǔ)上增加一個(gè)很小的電感、電容等諧振元件就構(gòu)成輔助網(wǎng)絡(luò)。在開(kāi)關(guān)過(guò)程前后引人諧振過(guò)程,使開(kāi)關(guān)開(kāi)通前電壓先降為零,這樣就可以消除開(kāi)通過(guò)程中電壓、電流重疊的現(xiàn)象,降低、甚至消除開(kāi)關(guān)損耗和干擾,這種電路稱為軟開(kāi)關(guān)電路。

         根據(jù)上述原理可以采用兩種方法,即在開(kāi)關(guān)關(guān)斷前使其電流為零,則開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)就不會(huì)產(chǎn)生損耗和干擾,這種關(guān)斷方式稱為零電流關(guān)斷;或在開(kāi)關(guān)開(kāi)通前使其電壓為 零,則開(kāi)關(guān)開(kāi)通時(shí)也不會(huì)產(chǎn)生損耗和干擾,這種開(kāi)通方式稱為零電壓開(kāi)通。在很多情況下,不再指出開(kāi)通或關(guān)斷,僅稱零電流開(kāi)關(guān)和零電壓開(kāi)關(guān),基本電路如圖3和 圖4所示。



圖3 零電壓開(kāi)關(guān)諧振電路



圖4 零電流開(kāi)關(guān)諧振電路

        通常采用軟開(kāi)關(guān)電路控制技術(shù),結(jié)合合理的元器件布局及印制電路板布線、接地技術(shù),對(duì)開(kāi)關(guān)電源的EMI干擾具有一定的改善作用。

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